IPT022N10NF2SATMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT022N10NF2SATMA1
特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
215
货期
现货
IPT022N10NF2SATMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 215 |
IPT022N10NF2SATMA1概述
特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPT022N10NF2SATMA1特性
暂无产品特性。
IPT022N10NF2SATMA1应用领域
暂无应用领域。