IPT020N10N5
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT020N10N5
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
21
货期
现货
IPT020N10N5参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 21 |
IPT020N10N5概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPT020N10N5特性
暂无产品特性。
IPT020N10N5应用领域
暂无应用领域。