IPT020N10N3ATMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT020N10N3ATMA1
特性：N通道， 正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 高电流能力。 175°C工作温度。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
1
货期
现货
IPT020N10N3ATMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPT020N10N3ATMA1概述
特性：N通道， 正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 高电流能力。 175°C工作温度。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPT020N10N3ATMA1特性
暂无产品特性。
IPT020N10N3ATMA1应用领域
暂无应用领域。