IPT015N10NF2SATMA1-MS

此款IPT015N10NF2SATMA1-MS场效应管采用1个N沟道设计， 应用了先进的大电流TOLL封装， 兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配350A最大漏极电流ID， 可稳定承载大功率需求1.4mΩ低导通电阻RDON从核心参数层面降低能量损耗。 器件依托先进封装与制造工艺， 实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行， 广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景， 精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。