IPT015N10NF2SATMA1-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能和良好的热稳定性， 主要参数包括：最大漏极电流ID为350A， 漏源电压VDSS为100V， 导通电阻RDON低至1.4mΩ。 器件采用先进封装与制造工艺， 能够在高频率、大功率条件下实现高效导通与低损耗运行。 适用于高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等应用场景， 满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。