IPT015N10NF2SATMA1
IC
PG-HSOF-8
可供量大可议
IPT015N10NF2SATMA1
特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
PG-HSOF-8
库存
12,244
货期
现货
IPT015N10NF2SATMA1参数
| 封装 | PG-HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12244 |
IPT015N10NF2SATMA1概述
特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPT015N10NF2SATMA1特性
暂无产品特性。
IPT015N10NF2SATMA1应用领域
暂无应用领域。