IPT015N10N5-HXY
IC
TOLL
可供量大可议
IPT015N10N5-HXY
IPT015N10N5采用先进的SGTMOS FET技术， 具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计， 具有更高的耐用性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TOLL
库存
913
货期
现货
IPT015N10N5-HXY参数
| 封装 | TOLL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 913 |
IPT015N10N5-HXY概述
IPT015N10N5采用先进的SGTMOS FET技术， 具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计， 具有更高的耐用性。
IPT015N10N5-HXY特性
暂无产品特性。
IPT015N10N5-HXY应用领域
暂无应用领域。