IPT014N08NM5ATMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT014N08NM5ATMA1
特性：针对电池供电应用进行优化。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层； 符合ROH标准。 根据JEDEC针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
5
货期
现货
IPT014N08NM5ATMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IPT014N08NM5ATMA1概述
特性：针对电池供电应用进行优化。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层； 符合ROH标准。 根据JEDEC针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPT014N08NM5ATMA1特性
暂无产品特性。
IPT014N08NM5ATMA1应用领域
暂无应用领域。