IPT013N08NM5LFATMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT013N08NM5LFATMA1
特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
4
货期
现货
IPT013N08NM5LFATMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IPT013N08NM5LFATMA1概述
特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPT013N08NM5LFATMA1特性
暂无产品特性。
IPT013N08NM5LFATMA1应用领域
暂无应用领域。