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IPT012N08N5-VB
IC

TOLL-8

可供量大可议

IPT012N08N5-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款高性能单N沟道功率MOSFET, 采用SGT技术, 适用于高效电源管理和高功率开关应用。 TOLL; N—Channel沟道, 80V; 350A; RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4.5V

品牌

VBsemi

封装

TOLL-8

库存

5

货期

现货

IPT012N08N5-VB参数

封装TOLL-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

IPT012N08N5-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款高性能单N沟道功率MOSFET, 采用SGT技术, 适用于高效电源管理和高功率开关应用。 TOLL; N—Channel沟道, 80V; 350A; RDS(ON)=1mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4.5V

IPT012N08N5-VB特性

暂无产品特性。

IPT012N08N5-VB应用领域

暂无应用领域。

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