IPT010N08NM5ATMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT010N08NM5ATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 适用于高频开关和同步整流。 100%雪崩测试。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
119
货期
现货
IPT010N08NM5ATMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 119 |
IPT010N08NM5ATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 适用于高频开关和同步整流。 100%雪崩测试。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPT010N08NM5ATMA1特性
暂无产品特性。
IPT010N08NM5ATMA1应用领域
暂无应用领域。