IPT007N06N
自营可供
IC
HSOF-8
IPT007N06N
场效应管(MOSFET) 375W 60V 300A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
交期
现货
批次
两年内
IPT007N06N参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 输入电容(Ciss) | 21.28nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 4.522nF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,765 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 栅极电荷量(Qg) | 216nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 458pF |
| 类型 | N沟道 |
IPT007N06N概述
场效应管(MOSFET) 375W 60V 300A 1个N沟道