IPT004N03L
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT004N03L
特性：针对电子保险丝和或门应用进行优化。 在VGS ≅ 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 具有出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合RoHS标准
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
995
货期
现货
IPT004N03L参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 995 |
IPT004N03L概述
特性：针对电子保险丝和或门应用进行优化。 在VGS ≅ 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 具有出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合RoHS标准
IPT004N03L特性
暂无产品特性。
IPT004N03L应用领域
暂无应用领域。