IPQC60R010S7AXTMA1
IC
PG-HDSOP-22
可供量大可议
IPQC60R010S7AXTMA1
高压功率MOSFET， 采用超结原理设计， 适用于高端应用中的低开关频率场景， S7A技术实现低导通电阻， 开尔文源引脚提升开关性能
品牌
Infineon
封装
PG-HDSOP-22
库存
1
货期
现货
IPQC60R010S7AXTMA1参数
| 封装 | PG-HDSOP-22 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPQC60R010S7AXTMA1概述
高压功率MOSFET， 采用超结原理设计， 适用于高端应用中的低开关频率场景， S7A技术实现低导通电阻， 开尔文源引脚提升开关性能
IPQC60R010S7AXTMA1特性
暂无产品特性。
IPQC60R010S7AXTMA1应用领域
暂无应用领域。