IPP80P03P4L-04
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP80P03P4L-04
特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1， 最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 适用于反向电池保护
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
55
货期
现货
IPP80P03P4L-04参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
IPP80P03P4L-04概述
特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1， 最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 适用于反向电池保护
IPP80P03P4L-04特性
暂无产品特性。
IPP80P03P4L-04应用领域
暂无应用领域。