IPP65R190C7FKSA1-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻典型值为165mΩ， 在高温与高频率工作条件下仍能保持优异的导电性能。 栅源电压范围为-10V至+25V， 确保器件在严苛环境中具备良好的开关稳定性与抗干扰能力。 采用宽禁带半导体材料， 显著降低开关损耗， 提升系统能效。 适用于高功率密度电源转换装置， 如高效直流-直流变换器、太阳能逆变系统及高性能开关电源模块， 满足对热性能与可靠性要求较高的设计需求。