IPP60R199CPXKSA1-HXY

本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至165mΩ， 可有效减少导通损耗。 栅源电压范围为-10V至+25V， 确保驱动稳定性与器件可靠性。 基于碳化硅半导体材料， 具备优异的高频开关能力、高温工作性能及较低的开关损耗。 适用于高效率电源转换系统， 如大功率开关电源、高压直流变换模块、光伏发电逆变单元以及储能设备中的功率级电路， 适合在对能效、热管理和功率密度有较高要求的应用中使用。