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IPP60R165CP-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

IPP60R165CP-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET型号, 采用SJ_Multi-EPI技术, 适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。 TO220; N—Channel沟道, 650V; 20A; RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

19

货期

现货

IPP60R165CP-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存19

IPP60R165CP-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET型号, 采用SJ_Multi-EPI技术, 适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。 TO220; N—Channel沟道, 650V; 20A; RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

IPP60R165CP-VB特性

暂无产品特性。

IPP60R165CP-VB应用领域

暂无应用领域。

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