IPP60R037CM8XKSA1
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP60R037CM8XKSA1
8代平台是高压功率MOSFET的革命性技术， 根据超结（SJ）原理设计。 结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性， 例如低振铃趋势， 为所有产品实施了快速体二极管（CFD）， 对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。 此外， 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
948
货期
现货
IPP60R037CM8XKSA1参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 948 |
IPP60R037CM8XKSA1概述
8代平台是高压功率MOSFET的革命性技术， 根据超结（SJ）原理设计。 结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性， 例如低振铃趋势， 为所有产品实施了快速体二极管（CFD）， 对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。 此外， 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
IPP60R037CM8XKSA1特性
暂无产品特性。
IPP60R037CM8XKSA1应用领域
暂无应用领域。