IPP600N25N3GXKSA1
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP600N25N3GXKSA1
特性：N 沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
36
货期
现货
IPP600N25N3GXKSA1参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
IPP600N25N3GXKSA1概述
特性：N 沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
IPP600N25N3GXKSA1特性
暂无产品特性。
IPP600N25N3GXKSA1应用领域
暂无应用领域。