IPP339N20NM6AKSA1
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP339N20NM6AKSA1
特性：N 沟道， 正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
66
货期
现货
IPP339N20NM6AKSA1参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66 |
IPP339N20NM6AKSA1概述
特性：N 沟道， 正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级。 100%雪崩测试
IPP339N20NM6AKSA1特性
暂无产品特性。
IPP339N20NM6AKSA1应用领域
暂无应用领域。