IPP200N15N3G-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
IPP200N15N3G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单晶N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于中功率电源模块、汽车电子模块、工业控制模块等领域。 TO220； N—Channel沟道, 150V； 50A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
2
货期
现货
IPP200N15N3G-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IPP200N15N3G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单晶N沟道场效应管， 采用Trench工艺制造， 适用于中功率电源模块、汽车电子模块、工业控制模块等领域。 TO220； N—Channel沟道, 150V； 50A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
IPP200N15N3G-VB特性
暂无产品特性。
IPP200N15N3G-VB应用领域
暂无应用领域。