IPP126N10N3G-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
IPP126N10N3G-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO220； N—Channel沟道； 100V； 100A； RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
200
货期
现货
IPP126N10N3G-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
IPP126N10N3G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO220； N—Channel沟道； 100V； 100A； RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用Trench技术
IPP126N10N3G-VB特性
暂无产品特性。
IPP126N10N3G-VB应用领域
暂无应用领域。