IPP086N10N3 G
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP086N10N3 G
特性：N沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
124
货期
现货
IPP086N10N3 G参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 124 |
IPP086N10N3 G概述
特性：N沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPP086N10N3 G特性
暂无产品特性。
IPP086N10N3 G应用领域
暂无应用领域。