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IPP076N15N5-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

IPP076N15N5-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO220; N—Channel沟道; 150V; 140A; RDS(ON)=5.8(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3.5V; 采用SGT技术

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

51

货期

现货

IPP076N15N5-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存51

IPP076N15N5-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO220; N—Channel沟道; 150V; 140A; RDS(ON)=5.8(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3.5V; 采用SGT技术

IPP076N15N5-VB特性

暂无产品特性。

IPP076N15N5-VB应用领域

暂无应用领域。

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