IPP062NE7N3 G
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP062NE7N3 G
特性：优化同步整流技术。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 出色的栅极电荷×R_D(S(on))乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准， 无卤素。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
450
货期
现货
IPP062NE7N3 G参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 450 |
IPP062NE7N3 G概述
特性：优化同步整流技术。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 出色的栅极电荷×R_D(S(on))乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准， 无卤素。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
IPP062NE7N3 G特性
暂无产品特性。
IPP062NE7N3 G应用领域
暂无应用领域。