IPP057N08N3 G-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
IPP057N08N3 G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块， 如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。 TO220； N—Channel沟道, 80V； 100A； RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~3.5V
Brand
VBsemi
Package
TO-220AB
Stock
14
货期
现货
IPP057N08N3 G-VBParameters
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14 |
IPP057N08N3 G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块， 如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。 TO220； N—Channel沟道, 80V； 100A； RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~3.5V
IPP057N08N3 G-VB特性
暂无产品特性。
IPP057N08N3 G-VB应用领域
暂无应用领域。