IPP051N15N5
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP051N15N5
特性：出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
6,396
货期
现货
IPP051N15N5参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6396 |
IPP051N15N5概述
特性：出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPP051N15N5特性
暂无产品特性。
IPP051N15N5应用领域
暂无应用领域。