IPP050N10NF2SAKMA1-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
IPP050N10NF2SAKMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。 低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 其高电流处理能力与适中的耐压等级， 适用于高效率电源转换、电机控制及大电流开关等场景， 在保障稳定运行的同时支持紧凑型电路设计。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220C
Stock
49
货期
现货
IPP050N10NF2SAKMA1-HXYParameters
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
IPP050N10NF2SAKMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。 低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 其高电流处理能力与适中的耐压等级， 适用于高效率电源转换、电机控制及大电流开关等场景， 在保障稳定运行的同时支持紧凑型电路设计。
IPP050N10NF2SAKMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPP050N10NF2SAKMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。