IPP048N04N G
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP048N04N G
特性：快速开关MOSFET， 适用于开关电源。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准
Brand
Infineon
Package
TO-220-3
Stock
351
货期
现货
IPP048N04N GParameters
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 351 |
IPP048N04N G概述
特性：快速开关MOSFET， 适用于开关电源。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准
IPP048N04N G特性
暂无产品特性。
IPP048N04N G应用领域
暂无应用领域。