IPP045N10N3GXKSA1-VB
IC
TO-220
可供量大可议
IPP045N10N3GXKSA1-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 󗙻 򘞟 򏟋 A, RDS(ON), 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 򬓹 Vth(V)封装:TO򘞟 򘞟 򏟋 适用于高压大电流、高效率、高功率密度的电力电子系统; 如电机驱动、逆变器、电池管理系统、储能系统、电子负载与电源测试设备等。
品牌
VBsemi
封装
TO-220
库存
10
货期
现货
IPP045N10N3GXKSA1-VB参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
IPP045N10N3GXKSA1-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 󗙻 򘞟 򏟋 A, RDS(ON), 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 򬓹 Vth(V)封装:TO򘞟 򘞟 򏟋 适用于高压大电流、高效率、高功率密度的电力电子系统; 如电机驱动、逆变器、电池管理系统、储能系统、电子负载与电源测试设备等。
IPP045N10N3GXKSA1-VB特性
暂无产品特性。
IPP045N10N3GXKSA1-VB应用领域
暂无应用领域。