IPP045N10N3GXKSA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低的温升。 器件适用于开关电源、电机驱动、电池充放电控制等对效率和热性能要求较高的电子系统， 能够在持续大电流或高频开关应用中提供稳定可靠的运行特性。