IPP045N10N3GHKSA1-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
IPP045N10N3GHKSA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻使其在大电流导通状态下功耗较低， 有助于提升系统整体效率。 器件适用于高效率电源转换、电机驱动和高频开关电路等应用， 在需要高可靠性和稳定电气性能的场合中表现良好。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
49
货期
现货
IPP045N10N3GHKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
IPP045N10N3GHKSA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻使其在大电流导通状态下功耗较低， 有助于提升系统整体效率。 器件适用于高效率电源转换、电机驱动和高频开关电路等应用， 在需要高可靠性和稳定电气性能的场合中表现良好。
IPP045N10N3GHKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPP045N10N3GHKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。