IPP037N06L3G-VB
IC
TO-220
可供量大可议
IPP037N06L3G-VB
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 𮧂 򏟋 V, 򘞟 󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 񤗸 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 񄂹 񤗸 Vth(V) 封装：TO򘞟 򘞟 򏟋 适用于需要中高功率和电流的应用场合， 能够在一定程度上平衡功率和性能。 其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
品牌
VBsemi
封装
TO-220
库存
10
货期
现货
IPP037N06L3G-VB参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
IPP037N06L3G-VB概述
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 𮧂 򏟋 V, 򘞟 󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 񤗸 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 񄂹 񤗸 Vth(V) 封装：TO򘞟 򘞟 򏟋 适用于需要中高功率和电流的应用场合， 能够在一定程度上平衡功率和性能。 其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
IPP037N06L3G-VB特性
暂无产品特性。
IPP037N06L3G-VB应用领域
暂无应用领域。