IPP034NE7N3 G
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP034NE7N3 G
特性：优化的同步整流技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅镀层； 符合 RoHS 标准， 无卤素。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
13
货期
现货
IPP034NE7N3 G参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
IPP034NE7N3 G概述
特性：优化的同步整流技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅镀层； 符合 RoHS 标准， 无卤素。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证
IPP034NE7N3 G特性
暂无产品特性。
IPP034NE7N3 G应用领域
暂无应用领域。