IPP032N06N3G
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP032N06N3G
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器优化技术。 出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
184
货期
现货
IPP032N06N3G参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 184 |
IPP032N06N3G概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器优化技术。 出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPP032N06N3G特性
暂无产品特性。
IPP032N06N3G应用领域
暂无应用领域。