IPP030N10N3GXKSA1
IC
TO-220
可供量大可议
IPP030N10N3GXKSA1
特性：N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流
品牌
Infineon
封装
TO-220
库存
106
货期
现货
IPP030N10N3GXKSA1参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 106 |
IPP030N10N3GXKSA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流
IPP030N10N3GXKSA1特性
暂无产品特性。
IPP030N10N3GXKSA1应用领域
暂无应用领域。