IPP023N04N G
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP023N04N G
特性：MOSFET用于或非门和不间断电源。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道。 正常电平。 超低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 无铅镀层; 符合RoHS标准。 根据IEC61249 2 21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
10
货期
现货
IPP023N04N G参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPP023N04N G概述
特性：MOSFET用于或非门和不间断电源。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道。 正常电平。 超低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 无铅镀层; 符合RoHS标准。 根据IEC61249 2 21标准无卤
IPP023N04N G特性
暂无产品特性。
IPP023N04N G应用领域
暂无应用领域。