IPP018N10N5XKSA1
IC
TO-220-3
可供量大可议
IPP018N10N5XKSA1
特性：适用于高频开关和同步整流。 N沟道， 正常电平。 针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻RDS(on)。 工作温度175℃。 无铅镀铅， 符合PolHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
1
货期
现货
IPP018N10N5XKSA1参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPP018N10N5XKSA1概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 N沟道， 正常电平。 针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻RDS(on)。 工作温度175℃。 无铅镀铅， 符合PolHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤
IPP018N10N5XKSA1特性
暂无产品特性。
IPP018N10N5XKSA1应用领域
暂无应用领域。