IPN95R3K7P7ATMA1
IC
SOT-223
可供量大可议
IPN95R3K7P7ATMA1
特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss， 降低了Qg、CGS 和 CGD。 同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V， 且 VGS(th) 变化最小， 为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。 应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。 也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级
品牌
Infineon
封装
SOT-223
库存
253
货期
现货
IPN95R3K7P7ATMA1参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 253 |
IPN95R3K7P7ATMA1概述
特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss， 降低了Qg、CGS 和 CGD。 同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V， 且 VGS(th) 变化最小， 为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。 应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。 也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级
IPN95R3K7P7ATMA1特性
暂无产品特性。
IPN95R3K7P7ATMA1应用领域
暂无应用领域。