IPN70R1K4P7S
自营可供
IC
SOT-223
IPN70R1K4P7S
场效应管(MOSFET) 6.2W 700V 4A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
SOT-223
交期
现货
批次
两年内
IPN70R1K4P7S参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 158pF |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4,968 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 700V |
| 耗散功率(Pd) | 6.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
IPN70R1K4P7S概述
场效应管(MOSFET) 6.2W 700V 4A 1个N沟道