IPLK80R2K0P7ATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
IPLK80R2K0P7ATMA1
特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eus：降低了 Ωg、Ciss 和 Ciss。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V， 且 VGS(th) 变化最小， 为 ±0.5V。 集成齐纳二极管静电放电保护。 完全优化的产品组合。 应用：推荐用于低功率充电器和适配器的硬开关和软开关反激拓扑
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
16
货期
现货
IPLK80R2K0P7ATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
IPLK80R2K0P7ATMA1概述
特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eus：降低了 Ωg、Ciss 和 Ciss。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V， 且 VGS(th) 变化最小， 为 ±0.5V。 集成齐纳二极管静电放电保护。 完全优化的产品组合。 应用：推荐用于低功率充电器和适配器的硬开关和软开关反激拓扑
IPLK80R2K0P7ATMA1特性
暂无产品特性。
IPLK80R2K0P7ATMA1应用领域
暂无应用领域。