IPL65R310E6AUMA1-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IPL65R310E6AUMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有14A的连续漏极电流能力， 漏源电压额定值为650V， 导通电阻为260mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 得益于碳化硅材料的物理特性， 器件在高频开关操作中展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于高效率电源转换、光伏逆变、服务器电源及类似对能效和功率密度有较高要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
9
货期
现货
IPL65R310E6AUMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
IPL65R310E6AUMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有14A的连续漏极电流能力， 漏源电压额定值为650V， 导通电阻为260mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 得益于碳化硅材料的物理特性， 器件在高频开关操作中展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于高效率电源转换、光伏逆变、服务器电源及类似对能效和功率密度有较高要求的应用场景。
IPL65R310E6AUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPL65R310E6AUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。