IPL65R195C7-HXY
IC
DFN-8(8x8)
可供量大可议
IPL65R195C7-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备10A连续漏极电流（ID）和650V漏源耐压（VDSS）， 可满足较高功率场景的需求。 导通电阻（RDON）为160mΩ， 有助于降低能量损耗并提升整体效率。 该器件适用于电源转换、开关电路、电机控制以及高性能电子设备中的功率管理模块， 具备良好的热稳定性和快速响应特性， 适合对效率与可靠性有较高要求的设计应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(8x8)
库存
196
货期
现货
IPL65R195C7-HXY参数
| 封装 | DFN-8(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 196 |
IPL65R195C7-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备10A连续漏极电流（ID）和650V漏源耐压（VDSS）， 可满足较高功率场景的需求。 导通电阻（RDON）为160mΩ， 有助于降低能量损耗并提升整体效率。 该器件适用于电源转换、开关电路、电机控制以及高性能电子设备中的功率管理模块， 具备良好的热稳定性和快速响应特性， 适合对效率与可靠性有较高要求的设计应用。
IPL65R195C7-HXY特性
暂无产品特性。
IPL65R195C7-HXY应用领域
暂无应用领域。