IPL65R190E6AUMA1-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IPL65R190E6AUMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压， 导通电阻为165mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温特性和开关性能， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。 其低导通损耗与高耐压能力使其在高频运行条件下仍能保持良好的热稳定性， 适合用于各类高可靠性电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
483
货期
现货
IPL65R190E6AUMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 483 |
IPL65R190E6AUMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压， 导通电阻为165mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具备优异的高温特性和开关性能， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。 其低导通损耗与高耐压能力使其在高频运行条件下仍能保持良好的热稳定性， 适合用于各类高可靠性电力电子系统中。
IPL65R190E6AUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPL65R190E6AUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。