IPL65R165CFDAUMA2-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IPL65R165CFDAUMA2-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力， 漏源电压额定值为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料优势， 在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率变换模块以及对热性能和体积有严苛要求的电力电子应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
8
货期
现货
IPL65R165CFDAUMA2-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
IPL65R165CFDAUMA2-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力， 漏源电压额定值为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料优势， 在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率变换模块以及对热性能和体积有严苛要求的电力电子应用。
IPL65R165CFDAUMA2-HXY特性
暂无产品特性。
IPL65R165CFDAUMA2-HXY应用领域
暂无应用领域。