IPL65R165CFDAUMA1-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IPL65R165CFDAUMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流（ID）和800V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 凭借碳化硅材料的特性， 器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与低导通损耗， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
300
货期
现货
IPL65R165CFDAUMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 300 |
IPL65R165CFDAUMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流（ID）和800V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 凭借碳化硅材料的特性， 器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与低导通损耗， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等场景。
IPL65R165CFDAUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPL65R165CFDAUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。