IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 基于碳化硅材料的特性， 器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换及电力电子应用， 有助于简化散热设计并提升系统整体效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
9
货期
现货
IPL65R115CFD7AUMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
IPL65R115CFD7AUMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 基于碳化硅材料的特性， 器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换及电力电子应用， 有助于简化散热设计并提升系统整体效率。
IPL65R115CFD7AUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPL65R115CFD7AUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。