IPL65R099C7AUMA1-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
IPL65R099C7AUMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压， 导通电阻为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件基于碳化硅材料， 具备优异的高温稳定性和高频开关能力， 在高效率电源系统、可再生能源转换装置以及高功率密度电力电子设备中可有效降低导通与开关损耗， 提升整体能效和系统响应速度。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
9
货期
现货
IPL65R099C7AUMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
IPL65R099C7AUMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压， 导通电阻为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件基于碳化硅材料， 具备优异的高温稳定性和高频开关能力， 在高效率电源系统、可再生能源转换装置以及高功率密度电力电子设备中可有效降低导通与开关损耗， 提升整体能效和系统响应速度。
IPL65R099C7AUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPL65R099C7AUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。