IPL60R185C7
IC
VSON-4-EP(8.1x8.1)
可供量大可议
IPL60R185C7
该产品是用于高压功率MOSFET的革命性技术， 根据超结（SJ）原理设计。 600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。 它是首个 RDS(on)*A 低于10mΩ*mm² 的技术。
品牌
Infineon
封装
VSON-4-EP(8.1x8.1)
库存
543
货期
现货
IPL60R185C7参数
| 封装 | VSON-4-EP(8.1x8.1) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 543 |
IPL60R185C7概述
该产品是用于高压功率MOSFET的革命性技术， 根据超结（SJ）原理设计。 600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。 它是首个 RDS(on)*A 低于10mΩ*mm² 的技术。
IPL60R185C7特性
暂无产品特性。
IPL60R185C7应用领域
暂无应用领域。